公开/公告号CN211652985U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-10-09
原文格式PDF
申请/专利权人 华羿微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201922262806.9
发明设计人 钟任生;
申请日2019-12-17
分类号G01R19/165(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郭永丽;侯芳
地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
入库时间 2022-08-22 17:08:29
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 通过使用脉冲电流发生器在分支的中低压配电网中进行故障定位,其故障位置与电缆网络中的反射无关