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中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路

摘要

本实用新型属于开关电源和电机控制的技术领域,具体涉及一种中低压大电流MOSFET脉冲电流过流检测电路,包括驱动电路;MOSFET检测电路,其与所述驱动电路的输出端连接;比较电路,其输入端与所述MOSFET检测电路连接;其中,所述比较器检测MOSFET检测电路的导通压降和基准电平。本实用新型能够检测出MOSFET通过脉冲电流时的导通压降是否超过安全值,从而确定MOSFET是否过流,保护电路是否需要启动关断MOSFET。

著录项

  • 公开/公告号CN211652985U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华羿微电子股份有限公司;

    申请/专利号CN201922262806.9

  • 发明设计人 钟任生;

    申请日2019-12-17

  • 分类号G01R19/165(20060101);

  • 代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;

  • 代理人郭永丽;侯芳

  • 地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

  • 入库时间 2022-08-22 17:08:29

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