公开/公告号CN110940848A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-03-31
原文格式PDF
申请/专利权人 华羿微电子股份有限公司;
申请/专利号CN201911297342.3
发明设计人 钟任生;
申请日2019-12-17
分类号
代理机构广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郭永丽
地址 710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
入库时间 2023-12-17 06:51:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R19/165 申请日:20191217
实质审查的生效
2020-03-31
公开
公开
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 通过使用脉冲电流发生器在分支的中低压配电网中进行故障定位,其故障位置与电缆网络中的反射无关