一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构

摘要

本实用新型公开了一种具有深沟槽的碳化硅超结SBD器件元胞结构，所述元胞结构的N^‑外延层中设置有若干个深沟槽，所述深沟槽的深度为t1，所述N^‑外延层的厚度为T＝t1+t2，其中，t1大于t2；深沟槽的侧壁及底部注入一圈PPlus，然后在深沟槽中填入P型掺杂的多晶硅或金属，并与肖特基区的肖特基接触金属相连。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中结合深沟槽结构和与其相连P Plus结构，构造出一种新颖的超结器件，能避免传统超结结构的深注入或多次外延工艺的难度，进一步降低器件正向导通损耗，增强SBD器件的耐压能力，可靠性和抗干扰能力。