公开/公告号CN103500658B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司;
申请/专利号CN201310487362.3
申请日2013-10-17
分类号
代理机构贵阳东圣专利商标事务有限公司;
代理人杨云
地址 550018 贵州省贵阳市210号信箱
入库时间 2022-08-23 09:43:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-22
授权
授权
2014-02-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/00 申请日:20131017
实质审查的生效
2014-01-08
公开
公开
机译: 降低击穿电压和漏电流的高压装置及其制造方法
机译: 降低泄漏电流的高压GaN高电子迁移率晶体管
机译: 降低漏电流的高压GAN高电子迁移率晶体管