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一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L-谷氨酸检测传感器

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本实用新型公开了一种基于分子印迹聚合膜修饰电极的L‑谷氨酸(L‑Glu)检测传感器，所述传感器包括作为工作电极的分子印迹聚合膜修饰电极；所述分子印迹聚合膜修饰电极包括玻碳基质，所述玻碳基质表面修饰有MWCNTs膜层，所述MWCNTs膜层上负载有MIPs膜层，所述MIPs膜层上存在L‑Glu分子三维结构空腔。结果表明MIP/MWCNTs/GCE对L‑Glu有灵敏的识别特性，且当L‑Glu浓度为1.00×10

著录项

公开/公告号CN211122646U

专利类型实用新型
公开/公告日2020-07-28

原文格式PDF
申请/专利权人长沙理工大学;
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申请/专利号CN201920924725.8
发明设计人曹忠;唐飞;何军意;段薇;袁璇;肖忠良;
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申请日2019-06-19
分类号
代理机构长沙优企知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周栋
地址 410000 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
入库时间 2022-08-22 15:35:05

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2020-07-28

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