L-色氨酸分子印迹膜修饰电极的研究

摘要

结合分子印迹技术和电化学聚合方法,以丙烯酰胺(AM)为单体,用恒电位法在金电极表面制备了对L-色氨酸敏感的分子印迹聚合物膜.应用荧光光谱和紫外吸收光谱研究了模板分子与功能单体间的结合机理;通过循环伏安法、差式脉冲法和交流阻抗谱法考察了该印迹膜修饰电极对L-色氨酸的响应特性.结果表明:在优化条件下,印迹膜修饰电极的峰电流响应值与L-色氨酸的浓度在0.05～0.5μmol/L 范围内保持良好的线性关系,检出限为3×10-8mol/L.该印迹电极具备较好的选择性、稳定性和良好的再生性能,在L-色氨酸电化学传感器的研制中具有良好的应用前景.