一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管

摘要

本实用新型涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。本实用新型的有益效果是：隐埋门极的设置减少导通面积的损失、减小热阻，使大功率GTO晶闸管关断时间短、开通特性好。开通特性好包括允许的通态电流上升率较高，通态电压上升率较高，并能增大大功率GTO晶闸管发射结的击穿电压；这个增大的击穿电压为门极的驱动设计简单化提供了条件，这样可以使门极驱动单元的生产成本降低，重量减轻，体积变小以及提高稳定性。