公开/公告号CN210781541U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 台林电通股份有限公司;
申请/专利号CN201921732558.3
申请日2019-10-16
分类号
代理机构北京华夏博通专利事务所(普通合伙);
代理人刘俊
地址 中国台湾桃园市
入库时间 2022-08-22 14:38:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
授权
机译: 高压晶体管集成到CMOS逻辑结构中,例如智能电源技术,结合了结型和互补型金属氧化物晶体管结构
机译: 绝缘体(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的半导体具有不对称结或反向光晕特性的结构和方法
机译: 绝缘体(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的半导体具有不对称结或反向光晕特性的结构和方法