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具有缺陷态的二维光子晶体光开关

摘要

本发明涉及一种具有缺陷态的二维光子晶体光开关及其应用,本发明采用微加工技术,利用半导体材料的高折射率,制备出高质量带有缺陷态的二维光子晶体,利用半导体材料的高三阶非线性极化率和半导体材料的快响应时间来实现光开关,从而提供了一种实用、方便、高效率的在光通讯、光计算等领域有广泛用途的光开关的方法。本发明可以在可见光和红外区域大范围内实现光开关。

著录项

  • 公开/公告号CN1220097C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN02160207.7

  • 申请日2002-12-31

  • 分类号G02F1/015;

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人王凤华

  • 地址 100080 北京市海淀区中关村南三街8号

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02F 1/015 授权公告日:20050921 终止日期:20101231 申请日:20021231

    专利权的终止

  • 2005-09-21

    授权

    授权

  • 2004-09-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-21

    公开

    公开

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