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一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器

摘要

本实用新型公开了一种InGaN纳米柱阵列基GSG型可调谐光电探测器。所述光电探测器包括由下至上的衬底、底层石墨烯层、InGaN纳米柱阵列和与纳米柱阵列间形成肖特基接触的顶层石墨烯层,还包括位于纳米柱阵列一侧的第一Au金属层电极,以及位于纳米柱阵列另一侧的阻隔底层和顶层石墨烯层接触的SiO

著录项

  • 公开/公告号CN210607281U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201920944683.4

  • 发明设计人 李国强;郑昱林;王文樑;

    申请日2019-06-21

  • 分类号

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2022-08-22 14:10:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-22

    授权

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