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公开/公告号CN210536611U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN201922136818.7
发明设计人 白春风;殷琪浩;王洋;乔东海;
申请日2019-12-03
分类号
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人殷海霞
地址 215168 江苏省苏州市吴中区石湖西路188号
入库时间 2022-08-22 13:58:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-15
授权
机译: CMOS逻辑输入缓冲器阈值电路用于DRAM或微型计算机的IC-具有CMOS反相器,该反相器包括两个电导率不同的串联FET和并联的,具有电导率受控的第三FET。电源电压
机译: 具有低电源电流和电压下移的CMOS输入缓冲器
机译: Cmos-高阻抗-总线的输出缓冲器,由多个电源电压驱动
机译:具有高度线性输入缓冲器和40nm CMOS中的高度线性输入缓冲器和功率有效电源电压域布置的14位500 MS / S的流水线ADC
机译:2个$ times $ VDD耐压电源轨ESD钳位电路的新设计,用于采用65 nm CMOS技术的混合电压I / O缓冲器
机译:CMOS电压缓冲器,可实现极低的电源供应
机译:4ms / s 10b SAR ADC,带有集成的类-A缓冲器,在65nm CMOS中,使用单个1.2V电源,带有近轨到轨输入的近轨到轨输入
机译:基于阈值电压差架构的CMOS技术的低于1V的电源参考电压。
机译:校正:ParkJ .;等。使用MRAM-CMOS非易失性触发器的细粒度电源门控。微型机械201910411
机译:基于托马斯算法的电源诱导抖动在CMOS缓冲器中的仿制方法
机译:用于超标量微处理器的20 mHz CmOs重新排序缓冲器