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一种SiC MOSFET栅极故障诊断系统以及模拟电路

摘要

本实用新型提供一种SiC MOSFET栅极故障诊断系统以及模拟电路,包括:栅极电荷检测电路、逻辑控制单元、放大器、第一电阻R1、第二电阻R2。该系统在SiC MOSFET运行状态中,对栅极电荷进行在线检测,根据在发生栅极故障时栅极电荷的变化情况进行栅极故障诊断,并对栅极短路故障和栅极开路故障进行识别。当栅极发生短路故障时,检测到的栅极电荷值将迅速增大到检测电路所允许的最大值;而当栅极发生开路故障时,检测到的栅极电荷在开关瞬态始终保持为零。本实用新型能够快速检测到栅极故障,以便SiC MOSFET应用系统及时停机,从而保护SiC MOSFET驱动板并防止SiC MOSFET发生二次故障。

著录项

  • 公开/公告号CN210376577U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2020-04-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 徐州中矿大传动与自动化有限公司;

    申请/专利号CN201821359604.5

  • 申请日2018-08-22

  • 分类号

  • 代理机构南京众联专利代理有限公司;

  • 代理人杜静静

  • 地址 221116 江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号

  • 入库时间 2022-08-22 13:27:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-21

    授权

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