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公开/公告号CN210376577U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-04-21
原文格式PDF
申请/专利权人 徐州中矿大传动与自动化有限公司;
申请/专利号CN201821359604.5
发明设计人 谭国俊;耿程飞;何凤有;张经纬;黄德雷;
申请日2018-08-22
分类号
代理机构南京众联专利代理有限公司;
代理人杜静静
地址 221116 江苏省徐州市高新区第二工业园珠江路7号
入库时间 2022-08-22 13:27:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-21
授权
机译: 具有栅极绝缘层的晶体管和具有碳化硅的SiC层,该栅极绝缘层具有使沟道空的边界电荷被转换的碳化硅SiC层。
机译: 具有模拟电路和启动器的电路-一种电流源装置,包括自动打开的装置的使用-一种包括用于模拟电路的启动器的电流源装置
机译: 在SiC衬底上形成栅极氧化物的方法及SiC衬底和由此制备的器件
机译:引入具有低栅极偏置的侧向栅极AI / SiO_2 / SiC隧道二极管结构的基于4H-SiC的紫外线传感器增强了辐照灵敏度
机译:性能良好的4H-SiC PMOSFET,具有SiC的LOCal氧化(LOCOSiC)隔离结构和适用于Sub-10V SiC CMOS应用的受损栅极氧化物
机译:故意舍入 - 一种综合文献综述(SiC)(SiC)(SiC)(SiC) - (SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)
机译:MMC子模块中展示了一种具有快速过流保护的稳健的10 kV SiC MOSFET栅极驱动器
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:凹入式栅极结构对具有薄AlOxNy MIS栅极的AlGaN / GaN-on-SiC MIS-HEMT的影响
机译:具有栅极 - 漏极放电补偿的主动栅极驱动,用于串联连接的SIC MOSFET中的电压平衡
机译:用于siC FET的汽车级高速栅极驱动器的性能评估,UCC27531型,适用于宽温度范围。