法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-29
授权
授权
2014-07-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/24 申请日:20140324
实质审查的生效
2014-06-18
公开
公开
机译: 一种保护层,一种制备保护层的方法以及一种包括该保护层的等离子体显示装置
机译: 通过等离子体产生装置方法和等离子体产生装置形成绝缘氮化物层
机译: 一种用于制造半导体结构的方法,该方法具有形成用于产生特征性光学等离子体发射的信号层和集成电路芯片