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一种面向Z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置

摘要

本发明公开了一种面向Z箍缩的壳层等离子体柱产生方法及其装置。包括:真空等离子体靶室、脉冲电流发生器、环形激光光斑产生装置,以及数字延迟发生器;真空等离子体靶室内安装负载高压极以及与负载高压极相配合的负载地电极,负载地电极上开设开孔,真空等离子体靶室壁上设置透明窗口,负载高压极、负载地电极的开孔、以及透明窗口同轴布置;脉冲电流发生器与环形激光光斑产生装置的输入端均与数字延迟发生器相连;脉冲电流发生器的输出端与负载高压极相连,脉环形激光光斑产生装置的出光口与透明窗口同轴布置。本发明避免冷态固态材料形成壳层等离子体柱过程中产生的先导等离子体等不均匀结构,同时负载结构更加简单,安装便利、参数调节方便。

著录项

  • 公开/公告号CN103874312B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201410111627.4

  • 申请日2014-03-24

  • 分类号H05H1/24(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-29

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H05H 1/24 申请日:20140324

    实质审查的生效

  • 2014-06-18

    公开

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