公开/公告号CN210221339U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-03-31
原文格式PDF
申请/专利权人 恩达电路(深圳)有限公司;
申请/专利号CN201921148059.X
申请日2019-07-19
分类号
代理机构深圳市中智立信知识产权代理有限公司;
代理人刘蕊
地址 518000 广东省深圳市坪山新区大工业区恩达路8号
入库时间 2022-08-22 13:01:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-31
授权
授权
机译: 半导体组件MOSFET包括交替导电性的层,其由垂直延伸的第一导电性的第一区域和垂直延伸的第二导电性的第二区域组成
机译: 电镀生产线上的短路跳线检测装置
机译: 电镀生产线上的短路跳线检测装置