一种四颗二极管集成芯片

摘要

一种四颗二极管集成芯片，包括硅片衬底，通过第一次硼杂质掺杂形成有第一P+区，在上下方向贯通硅片衬底形成隔离墙，在硅片衬底中隔离出四间隔块；各间隔块的上表面通过磷杂质掺杂形成有N+区，并通过第二次硼杂质掺杂形成有第二P+区，且N+区与第一P+区、第二P+区均间隔设置；第二P+区的边缘区域开有沟槽；硅片衬底上表面于N+区、第二P+区的周边区域及沟槽的表面覆盖有多晶硅钝化复合薄膜层；沟槽中还填充有玻璃胶，并通过高温烧结形成玻璃钝化层；N+区及第二P+区的表面均沉积有金属层形成金属电极。本实用新型具有工艺简单、集成度高、体积小且品质高等优点。