一种GAN（氮化镓）MOSFET超薄型电源适配器

摘要

本实用新型涉及一种GAN(氮化镓)MOSFET超薄型电源适配器，包括适配器本体，所述适配器本体内设有依次连接的市电100V‑240V输入线路及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、RCD高压吸收线路、多模式准谐振GAN MOSFET超薄型次级侧检测和同步整流驱动控制器、次极MOS整流线路、防倒电流灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE‑C输出接口；本实用新型的微处理器U1集成了多模式准谐振(QR)/CCM反激式控制器、GAN(氮化镓)MOSFET超薄型、次极侧检测和同步整流驱动，在整个负载范围内效率高达94％。