公开/公告号CN210016062U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-02-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海徕木电子股份有限公司;
申请/专利号CN201822250527.6
申请日2018-12-29
分类号
代理机构上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人杨元焱
地址 201101 上海市闵行区中春路7319号
入库时间 2022-08-22 12:24:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-04
授权
授权
机译: 一种用于隔离地下结构的方法以及具有用于排水的隔离板的地下结构
机译: 一种用于隔离地下结构的方法以及具有用于排水的隔离板的地下结构
机译: 一种用于在沟槽隔离结构中具有掩埋的蚀刻停止层的半导体器件的制造方法,用于在密集封装的半导体组件中实现更好的均匀性。