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LVDT/RVDT传感器仿真卡

摘要

本实用新型公开了一种LVDT/RVDT传感器仿真卡,包括控制模块,所述LVDT/RVDT传感器仿真卡还包括感应信号输出电路模块、ADC模块、参考电路电压模块、DAC模块和激励信号采集电路模块,控制模块分别与ADC模块和DAC模块连接,参考电路电压模块分别与ADC模块和DAC模块连接,激励信号采集电路模块与ADC模块连接,感应信号输出电路模块与DAC模块连接。本实用新型可以仿真4/5/6线的LVDT和RVDT传感器,可用于LVDT/RVDT系统的测试仿真,本实用新型可用于EP‑H5606。

著录项

  • 公开/公告号CN209821666U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都恩菲特科技有限公司;

    申请/专利号CN201921086728.5

  • 发明设计人 宋俊;华伟;

    申请日2019-07-12

  • 分类号

  • 代理机构成都蓉创智汇知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵雷

  • 地址 610000 四川省成都市高新区科园二路10号航利研发中心3栋1单元5楼

  • 入库时间 2022-08-22 11:52:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-20

    授权

    授权

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