首页> 中国专利> 一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法

一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法

摘要

本发明公开了一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法,利用ECR等离子体加工系统,通过调节微波功率在160~400W范围内变化,可实现电子照射密度在30~120mA/cm2范围内变化。利用透射电子显微镜和拉曼光谱对不同电子照射密度下碳膜中纳晶石墨烯尺寸进行表征可得,当电子照射密度从30mA/cm2逐渐增大到120mA/cm2时,纳晶石墨烯平均尺寸从1.09nm逐渐增大到2.69nm。本发明提供的控制方法便于实现碳膜中纳晶石墨烯尺寸的精确控制。

著录项

  • 公开/公告号CN103938170B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;深圳大学;

    申请/专利号CN201410142670.7

  • 发明设计人 刁东风;陈成;郭美玲;范雪;

    申请日2014-04-10

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/30(20060101);C23C14/06(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人蔡和平

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:42:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-29

    授权

    授权

  • 2014-08-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20140410

    实质审查的生效

  • 2014-07-23

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号