公开/公告号CN209727300U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉优斯特传感器科技有限公司;
申请/专利号CN201920816154.6
发明设计人 张伟;
申请日2019-06-01
分类号
代理机构北京挺立专利事务所(普通合伙);
代理人吴彩凤
地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路40号葛洲坝太阳城22栋4层04室
入库时间 2022-08-22 11:35:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-03
授权
授权
机译: 低成本,热效率高且可表面安装的半导体封装,可用于高施加功率的VLSI芯片
机译: 低成本,热效率高且可表面安装的半导体封装,用于高施加功率的VLSI芯片
机译: 用于产生高激光功率的方法和激光系统技术领域本发明涉及一种用于产生高激光功率的方法和激光系统。