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公开/公告号CN209515738U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 黄山学院;
申请/专利号CN201920476144.2
发明设计人 鲍婕;靖南;吴杰;许媛;侯丽;焦铮;宁仁霞;陈珍海;
申请日2019-04-10
分类号
代理机构苏州国诚专利代理有限公司;
代理人韩凤
地址 245041 安徽省黄山市屯溪区西海路39号
入库时间 2022-08-22 10:59:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-18
授权
机译: GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译: GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译: GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
机译:通过与AIGaN / GaN HFET混合集成来实现大功率可调光GaN基LED
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机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
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机译:大功率InGaN / GaN MQW ud的远程温度映射倒装芯片设计LED
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告