Erratum: High-power single-chip GaN-based white LED with 3058 lm

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Erratum: High-power single-chip GaN-based white LED with 3058 lm

机译：勘误：3058 lm的大功率单芯片GaN基白色LED

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《Electronics Letters》 |2016年第25期|2076-2076|共1页
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1. High-power single-chip GaN-based white LED with 3058 lm [J] . Mingdi Ding, Yibin Zhang, Jianwei Xu, Electronics Letters . 2016,第25期

机译：具有3058 lm的大功率单芯片GaN基白光LED
2. High-Efficiency Robust Free-Standing Composited Phosphor Films with 2D and 3D Nanostructures for High-Power Remote White LEDs [J] . Lai Chun-Feng, Li Jia-Sian, Shen Chung-Wen ACS applied materials & interfaces . 2017,第5期

机译：高效率坚固的独立式复合磷光体薄膜，具有2D和3D纳米结构，用于高功率远程白色LED
3. Efficient and heat-conducting color converter of phosphor glass film printed on sapphire substrate for high-power white LEDs/LDs [J] . Mou Yun, Wang Hao, Liang Dandan, Journal of Non-Crystalline Solids: A Journal Devoted to Oxide, Halide, Chalcogenide and Metallic Glasses, Amorphous Semiconductors, Non-Crystalline Films, Glass-Ceramics and Glassy Composites . 2019,第期

机译：高功率白色LED / LDS的蓝宝石衬底上印有荧光粉玻璃膜的高效和导热彩色转换器
4. From the First Single-chip White LED to Laser Processed Ⅲ-N Thin-film LEDs [C] . Michael Kunzer, Ulrich T.Schwarz, Joachim Wagner China international forum on solid state lighting . 2012

机译：从第一个单芯片白光LED到激光处理的Ⅲ-N薄膜LED
5. Beyond conventional c-plane GaN-based light emitting diodes: A systematic exploration of LEDs on semi-polar orientations. [D] . Monavarian, Morteza. 2016

机译：超越传统的基于c面的GaN发光二极管：对LED在半极性方向上的系统研究。
6. High-Power GaN-Based Vertical Light-Emitting Diodes on 4-Inch Silicon Substrate [O] . Qiang Zhao, Jiahao Miao, Shengjun Zhou, 2019

机译：4英寸硅衬底上的高功率基于GaN的垂直发光二极管
7. High-Efficiency Robust Free-Standing Composited Phosphor Films with 2D and 3D Nanostructures for High-Power Remote White LEDs [O] . -1

机译：高效稳健的独立式复合荧光粉，具有2D和3D纳米结构，用于高功率远程白色LED

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