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基于3,3’-二硫代双(1-丙磺酸)-汞复合膜的L-半胱氨酸传感器

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本实用新型公开了一种基于3,3’‑二硫代双(1‑丙磺酸)‑汞复合膜的L‑半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层表面组装有3,3’‑二硫代双(1‑丙磺酸)‑汞复合膜。该传感器对L‑半胱氨酸具有超常规的、灵敏的两倍能斯特响应关系，线性范围为1.0×10

著录项

公开/公告号CN209247682U

专利类型实用新型
公开/公告日2019-08-13

原文格式PDF
申请/专利权人长沙理工大学;
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申请/专利号CN201821515523.X
发明设计人曹忠;彭与煜;刘陈;唐玲;朱钦;金敏;何婧琳;肖忠良;
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申请日2018-09-17
分类号
代理机构北京天奇智新知识产权代理有限公司;
代理人刘佳芳
地址 410000 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
入库时间 2022-08-22 10:14:45

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法律状态
2019-08-13

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