一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，包括步骤：Ⅰ.在半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO₂、TiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅和Y₂O₃中的一种或者几种，介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。本发明提供的方法使得半导体表面非辐射复合减少，反射损耗减少，有效提高载流子收集效率，实现宽谱广角减反功能。