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一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构

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本实用新型公开了一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延结构，从衬底往上依序包括缓冲层、第一n型半导体层、有源层、p型半导体层和第二n型半导体层；其中：所述p型半导体层包括有两种以上不同的p型掺杂浓度层，其中p型半导体层的最表层为厚度为5~50nm，Mg的掺杂浓度为5E19~1E21cm

著录项

公开/公告号CN209045599U

专利类型实用新型
公开/公告日2019-06-28

原文格式PDF
申请/专利权人江西兆驰半导体有限公司;
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申请/专利号CN201821922738.3
发明设计人顾伟;
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申请日2018-11-21
分类号
代理机构
代理人
地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区高新二路18号创业大厦503、515室
入库时间 2022-08-22 09:40:33

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2019-06-28

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