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公开/公告号CN208920140U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-05-31
原文格式PDF
申请/专利权人 中国地质大学(武汉);
申请/专利号CN201821177761.4
发明设计人 范瑞宇;冯鑫;张林;丁俊霞;刘冲亮;杨世琪;
申请日2018-07-23
分类号
代理机构武汉知产时代知识产权代理有限公司;
代理人邹桂敏
地址 430000 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
入库时间 2022-08-22 09:19:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-31
授权
机译: 基于厚度控制的基于物理吸附的微接触印刷工艺制造全色OLED阵列的方法
机译: 基于物理吸附的制冷系统
机译:基于各种无机吸附剂的物理吸附V-t图估算标准物理吸附等温线
机译:通过S. Z.XU等,“温度 - 热恢复物理吸附制冷循环的温度 - 热图分析方法进行热恢复物理吸附制冷循环的温度 - 热恢复物理吸附制冷循环循环。”,Vol。 74,2017,第254-268页
机译:微孔的物理吸附:冷凝近似方法
机译:非中性表面上物理吸附的三嵌段共聚物熔体链的自组织
机译:基于MoS2表面硫空位时解离氢化学吸附的氢物理吸附
机译:一种新型基于石墨烯的纳米多孔石墨:第一性原理 结构与二氧化碳优先物理吸附
机译:基于物理的高通量冷凝传热建模与测量