一种图形化Si衬底上非极性紫外LED

摘要

本实用新型属于LED技术领域，公开了一种图形化Si衬底上非极性紫外LED。图形化Si衬底上非极性紫外LED包括图形化Si衬底以及非极性紫外LED；图形化Si衬底上设有若干凹槽，所述凹槽的纵截面中一侧壁为竖直的侧壁，凹槽的纵截面为倒三角形或倒梯形；所述凹槽的横截面为四边形。本实用新型将Si衬底进行图形化，图形化Si衬底含有Si(111)，有利于制备高质量的非极性GaN薄膜，图形化Si衬底上非极性紫外LED具有缺陷密度低、结晶质量好，器件性能好等特点，可广泛应用于LED、LD、太阳能电池等领域。