公开/公告号CN208689117U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-04-02
原文格式PDF
申请/专利权人 广州邦禾检测技术有限公司;
申请/专利号CN201820936036.4
发明设计人 苗春茂;
申请日2018-06-18
分类号G01R31/00(20060101);G01R31/36(20190101);
代理机构
代理人
地址 511495 广东省广州市番禺区钟村街市广路钟三路段13号之一
入库时间 2022-08-22 08:40:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-04-02
授权
授权
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有集成式过流和过热保护功能的USB电缆