公开/公告号CN208608971U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-03-15
原文格式PDF
申请/专利权人 成都天箭科技股份有限公司;
申请/专利号CN201821424527.7
发明设计人 姜世君;
申请日2018-08-31
分类号
代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司;
代理人马林中
地址 610041 四川省成都市高新区科技孵化园9号楼B座
入库时间 2022-08-22 08:27:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-15
授权
授权
机译: 异质微波集成电路,包括氮化镓器件在内在硅的高度掺杂区域
机译: 异质微波集成电路,包括在高掺杂半导体上形成的氮化镓器件
机译: 异质微波集成电路,包括内在半导体上的氮化镓器件