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一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路

摘要

本实用新型公开了一种氮化镓微波集成电路脉冲调制电路,涉及脉冲调制电路技术领域,本实用新型包括MOSFET驱动器和与MOSFET连接的调制脉冲,所述MOSFET驱动器为半桥MOSFET驱动器,所述半桥MOSFET驱动器分别连接有MOSFET管A和MOSFET管B,MOSFET管A和MOSFET管B的栅极分别与半桥MOSFET驱动器连接,其中MOSFET管A的漏极连接有电源电压VDD,源极分别与功率放大模块和MOSFET管B的漏极连接,MOSFET管B的源极接地,本实用新型能够确保功率放大模块的工作状态的迅速转换,避免拖尾,提高了发射射频信号关断比,提高了功率放大模块的工作速度,使得功率放大模块的工作效率得到保障。

著录项

  • 公开/公告号CN208608971U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都天箭科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201821424527.7

  • 发明设计人 姜世君;

    申请日2018-08-31

  • 分类号

  • 代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人马林中

  • 地址 610041 四川省成都市高新区科技孵化园9号楼B座

  • 入库时间 2022-08-22 08:27:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-15

    授权

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