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公开/公告号CN208488002U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉高德红外股份有限公司;
申请/专利号CN201820597470.4
发明设计人 程斌;张少良;杨伟;万启畅;马方涛;
申请日2018-04-25
分类号
代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司;
代理人程殿军
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号
入库时间 2022-08-22 08:08:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-12
授权
机译: 红外窗一体式非制冷红外探测器及其制造方法
机译: 非制冷红外光子探测器和使用微光机械传感器的多色红外探测
机译: 用于非制冷红外探测器的氧化锗锡薄膜
机译:以介孔二氧化硅为隔热层的非制冷红外成像探测器的改进
机译:Hamamatsu Honikkusu增加了一种非制冷红外探测器元件,该探测器产品系列在3至11 m的光波长范围内实现了高速和高灵敏度,将于1月16日开始销售。
机译:一种用于标准CMOS工艺中的非制冷红外探测器的低成本红外吸收结构
机译:基于非制冷红外探测器的手持式红外成像装置设计
机译:具有腔耦合吸收技术的非制冷热电堆红外探测器的设计与制造
机译:使用等离子增强高性能红外光谱的非制冷红外探测器的响应度
机译:利用等离子体激元进行高效红外光谱增强非制冷红外探测器的响应能力
机译:用于红外成像的非制冷光子探测器