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公开/公告号CN208346252U
专利类型实用新型
公开/公告日2019-01-08
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳先进技术研究院;
申请/专利号CN201820338175.7
发明设计人 唐永炳;李星星;王陶;黄磊;杨扬;
申请日2018-03-12
分类号
代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人史晶晶
地址 518000 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
入库时间 2022-08-22 07:44:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-08
授权
机译: 电沉积金刚石涂层与金刚石涂层的研磨,用于牙科陶瓷的研磨
机译: 高表面积类金刚石碳或脏金刚石涂层金属网的制造,用于电化学应用
机译:通过在金刚石涂层石墨上化学气相沉积SiC制备SiC /金刚石涂层及其摩擦性能
机译:通过SiC的化学气相沉积制备SiC /金刚石涂层在金刚石涂层石墨上及其摩擦性能
机译:用微波等离子体CVD沉积均匀金刚石涂层沉积的板载设计,用于高效转动应用
机译:各种播种方法对通过热长丝化学气相沉积沉积的多层金刚石涂层的影响
机译:研究硬质合金切削刀具刀片(硬质合金刀具,化学气相沉积)上化学气相沉积(CVD)金刚石涂层的附着力的机械和物理问题。
机译:在不同TMS流量增量下合成的梯度改性HfC-SiC混合双中间层用于将金刚石涂层沉积到WC-Co基底上
机译:通过使用脉冲电源沉积在闪光放电等离子体中沉积的多晶金刚石涂层的结构
机译:自润滑 - 类金刚石涂层沉积。