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一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构

摘要

一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成;钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成;背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域:前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成;后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下,获得了更高开路电压和短路电流,最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

著录项

  • 公开/公告号CN208315578U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2019-01-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南昌大学;

    申请/专利号CN201820330910.X

  • 申请日2018-03-12

  • 分类号H01L31/068(20120101);

  • 代理机构36115 南昌新天下专利商标代理有限公司;

  • 代理人施秀瑾

  • 地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

  • 入库时间 2022-08-22 07:39:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-01

    授权

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