一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置

摘要

本实用新型公开了一种提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，包括生长腔和石墨软毡保温层，生长腔的上端连接有密封法兰，密封法兰的中心位置连接有测温窗口，生长腔的外壁上套有感应线圈，生长腔的内部安装有石墨坩埚，石墨软毡保温层包括外侧石墨软毡保温层、底部石墨软毡保温层和上部石墨软毡保温层。本提高原料使用效率的SiC单晶生长装置，设计在石墨坩埚内侧底部中间放置一个石墨圆柱体来取代碳化硅粉末的摆放空间，减少碳化硅粉末需要的使用空间，以便降低碳化硅粉末使用重量，同时在石墨坩埚内设有阻隔件，保证晶体生长区内的温度、压力等生长条件保持稳定，提高碳化硅单晶的质量。