公开/公告号CN103904079B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 旺宏电子股份有限公司;
申请/专利号CN201210581149.4
发明设计人 郑致杰;
申请日2012-12-27
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
入库时间 2022-08-23 09:41:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-08
授权
授权
2014-07-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20121227
实质审查的生效
2014-07-02
公开
公开
机译: 非易失性记忆细胞,非易失性记忆细胞阵列以及制造非易失性记忆细胞阵列的方法
机译: 包括多对非易失性记忆细胞和边缘细胞的半导体结构
机译: 具有非易失性记忆细胞的侧向耦合结构和记忆细胞阵列的非易失性记忆细胞