一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法

摘要

一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，该方法包括以下步骤：1）配制溶液；2）制备图案化的单晶硅衬底；3）沉积氮化硅薄膜；4）沉积微晶硅薄膜；5）沉积非化学计量比碳化硅薄膜；6）制备周期性多层膜；7）在制成的周期性多层膜上按照步骤3）沉积氮化硅薄膜，制得多层膜样品；8）对步骤7）制得的多层膜样品进行高温退火处理，制得退火处理后的多层膜样品；9）进行氨气等离子体钝化处理，制得三维空间分布有序硅量子点。本发明提供的一种三维空间分布有序硅量子点的制备方法，将多层膜自组装技术和图案化单晶硅衬底技术融为一体，制备的硅量子点具有制备面积大、缺陷少、空间三维分布排列有序、成核位置和尺寸可控等特点。