法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01Q17/00 授权公告日:20181130 终止日期:20190613 申请日:20170613
专利权的终止
2018-11-30
授权
授权
机译: 一种用于确定电阻环体在推入过程中将要形成的固体的方法,该方法是基于电阻器电阻环及其他这种耗散性的多个穿透深度平均值而确定的-材料特性和用于实施该方法的装置方法
机译: 一种基于钽及其化合物获得给定配置的薄膜电阻器的方法
机译: 一种具有金属栅极和一半导体,电阻器的半导体器件的制造方法,其是基于替代栅极方法制造的