公开/公告号CN103515181B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-08
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201310253580.0
发明设计人 约翰·C·小瓦尔考;布拉德福德·J·林达克;
申请日2013-06-24
分类号H01J37/32(20060101);
代理机构31263 上海胜康律师事务所;
代理人李献忠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:41:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-08
授权
授权
2014-02-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20130624
实质审查的生效
2014-01-15
公开
公开
机译: 用于半导体衬底处理的等离子体加速装置和具有该装置的等离子体处理系统
机译: 用于产生等离子体的装置,具有供气系统,具有供气装置的基础电极,介电衬底层,多个分段电极以及用于确定衬底的表面性质的设备
机译: 等离子体处理系统的电极结构和具有该电极的等离子体处理系统