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用于在具有电极的等离子体处理系统中处理衬底的方法和装置

摘要

本发明涉及用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置,具体公开了用于在多频率等离子体处理室中处理衬底的方法和装置。基极RF信号在高功率电平和低功率电平之间施加脉冲。在基极RF信号施加脉冲时,非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地(proactively)在第一预定义功率电平和第二预定义功率电平之间切换。替代地或另外地,在基极RF信号施加脉冲时,非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地在第一预定义RF频率和第二预定义RF频率之间切换。本发明公开了用于在生产时间之前为非基极RF信号确定第一和第二预定义功率电平和/或第一和第二预定义RF频率的技术。

著录项

  • 公开/公告号CN103515181B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN201310253580.0

  • 申请日2013-06-24

  • 分类号H01J37/32(20060101);

  • 代理机构31263 上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:41:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-06-08

    授权

    授权

  • 2014-02-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20130624

    实质审查的生效

  • 2014-01-15

    公开

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