公开/公告号CN208023115U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-10-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
申请/专利号CN201820234438.X
申请日2018-02-09
分类号
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王锋
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
入库时间 2022-08-22 06:48:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-30
授权
授权
机译: 包括通过助熔剂法生长III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法
机译: 用于植物生长的层状结构用于自然草生长的片状结构用于生长草的程序以及用于承载层状结构的程序具有草。
机译: 用于减少单晶铝 - 氮化物基材表面的结构损伤的方法,以及可以通过这种类型的方法制备的单晶铝 - 氮化物基材的方法