柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件

摘要

本实用新型涉及半导体发光器件的技术领域，更具体地，涉及柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件。柔性薄膜GaN基纳米柱LED阵列微显示器件，其中，包括衬底、设于衬底上的带周期性排布开孔的掩蔽膜、设于带周期性排布开孔的掩蔽膜上的纳米柱结构微型LED阵列、设于纳米柱结构微型LED阵列上的透明导电层，覆盖整个样品表面的柔性薄膜材料，柔性薄膜材料上设有正电极，与正电极垂直的负电极。制备的纳米柱LED不存在器件的表面损伤，能实现超低的漏电流和超低功耗。纳米柱LED大小可以通过改变掩蔽膜的形貌进行调控，能够更容易地实现纳米尺度的显示像元，达到超高分辨率的要求。通过衬底剥离将器件制备在柔性薄膜材料上，实现GaN基LED阵列微显示器件的柔性显示。