公开/公告号CN207706148U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-08-07
原文格式PDF
申请/专利权人 清能德创电气技术(北京)有限公司;
申请/专利号CN201820023754.2
申请日2018-01-06
分类号H03K17/081(20060101);H03K17/567(20060101);G01R19/165(20060101);
代理机构
代理人
地址 100070 北京市丰台区外环西路26号院15号楼北栋
入库时间 2022-08-22 05:56:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
专利权的转移 IPC(主分类):H03K17/081 登记生效日:20200227 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2018-08-07
授权
授权
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 电子灯强度调节器的交流电保护具有MOSFET晶体管,两个电流上拉电阻器和两个信号滤波电容器,以增加过流保护器件的基本电流