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公开/公告号CN207517703U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆中科渝芯电子有限公司;
申请/专利号CN201721207225.X
发明设计人 陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡;
申请日2017-09-20
分类号
代理机构重庆大学专利中心;
代理人王翔
地址 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号
入库时间 2022-08-22 05:24:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-19
授权
机译: 具有欧姆接触和肖特基接触的半导体器件,并且在欧姆接触和肖特基接触之间插入势垒层
机译: 形成具有在欧姆接触和肖特基接触之间插入的势垒层的半导体器件的方法
机译: 使用累积N层的4H-SBR 4H-碳化硅超级势垒整流器及其制造方法
机译:欧姆接触到中等掺杂的半导体-它们是真正的欧姆接触还是低势垒肖特基接触?
机译:具有顶部N增强层和P注入器的新型肖特基接触超势垒整流器
机译:带有超级势垒整流器的反极性保护,用于汽车ECU
机译:超级势垒整流器二极管可在低压应用中提供高性能和高可靠性
机译:氮化镓和氮化铝镓器件的欧姆接触和肖特基接触的开发和特性。
机译:更正:Wodecka-DusB.等人 BLT4超级电容器的化学和物理特性—一种适合超级电容器的材料材料2020、13、659
机译:使用超级势垒整流器的串联负载谐振变换器的性能研究
机译:超级肖特基势垒二极管探测器。