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高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列

摘要

本实用新型公开了高辐射效率的基片集成介质谐振器天线阵列,包括由下往上设置的第一介质基片和第二介质基片;第一介质基片的上、下表面分别设有第一上金属层和第一下金属层,第一上金属层和第一下金属层之间设有贯穿第一介质基片的第一金属化通孔,第一上金属层的宽边设有馈电端,第一上金属层上还设有多个耦合槽,耦合槽分列于第一介质基片中心线的两侧;第二介质基片的上、下表面分别设有第二上金属层和第二下金属层,第二上金属层和第二下金属层之间设有贯穿第二介质基片的第二金属化通孔,第二金属化通孔围成多个谐振器;所述谐振器与耦合槽一一对应,每个谐振器的下方都有一个耦合槽。本实用新型有效提高了天线阵列的辐射效率。

著录项

  • 公开/公告号CN207265226U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信阳师范学院;

    申请/专利号CN201721332085.9

  • 申请日2017-10-17

  • 分类号H01Q1/38(20060101);H01Q9/04(20060101);H01Q21/00(20060101);

  • 代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人饶欣

  • 地址 464000 河南省信阳市南湖路237号

  • 入库时间 2022-08-22 04:42:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-20

    授权

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