一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄膜样品；然后将含有GTO介电层的薄膜样品放入离子束溅射室内清洗薄膜样品的表面，得到清洗后的薄膜样品；再在清洗后的薄膜样品的GTO介电层上沉积ITZO半导体沟道层，得到沟道层薄膜样品；最后在沟道层薄膜样品上面制备源、漏金属电极，得到多层复合氧化物GTO高k介电层的ITZO薄膜晶体管；其工艺简单，原理可靠，成本低，产品性能好，制备环境友好，应用前景好。