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公开/公告号CN206849764U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-01-05
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201720650172.2
发明设计人 刘志远;李昊旻;王子寒;耿英三;王建华;
申请日2017-06-06
分类号
代理机构西安智大知识产权代理事务所;
代理人何会侠
地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号
入库时间 2022-08-22 03:34:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01H33/664 授权公告日:20180105 放弃生效日:20200211 申请日:20170606
避免重复授权放弃专利权
2018-01-05
授权
机译: 真空灭弧室触头中的非线性磁场分布
机译: -真空灭弧室用Cu-Cr触头材料的微结构控制方法及其制造的触头材料
机译:纵向和横向构型中的弱磁场和高磁场对量子Bi线的磁热电特性的影响
机译:电流板中电流密度纵向分布对其磁场结构和形成动力学的影响。 I:计算具有不同配置的当前工作表的磁场
机译:电流层中电流密度的纵向分布对其磁场结构及其形成动力学的影响。 I.不同构型电流层的磁场计算
机译:轴向磁场结构对闭合轴向磁场真空灭弧室触头阈值焊接电流的影响
机译:尖晶石结构的氧化铁钒氧化物,锰钒氧化物和钴钒氧化物在高磁场和非常高的压力下的介电和导电性能。
机译:MnBi在高磁场下的磁性和结构相变
机译:关于有效电磁特性的计算 不均匀的金属。纵向有效的精确解决方案 高磁场中金属多晶的导电性
机译:风力隧道调整高纵向静态纵向稳定性特征的几个翼体结构设计用于高机械比率1.4的机械比