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一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构

摘要

本实用新型公开了一种具有功率增强功能的瞬态抑制二极管封装结构,包括壳体和引线,所述壳体的一侧卡接有第一引脚,所述壳体的另一侧卡接有第二引脚,所述壳体的中部卡接有芯片,所述壳体与芯片的夹缝处嵌接有凸台。该种实用新型设计合理,使用方便,通过把壳体的凸台改为正方形,使凸台与芯片的接触面积增大,并使浪涌能力达到600W的功率,非常适合瞬态抑制二极管的功率增强,可以有效提高对电子元器件保护的效率,简单方便,适合广泛推广。

著录项

  • 公开/公告号CN206711899U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 萨锐微电子(上海)有限公司;

    申请/专利号CN201720488295.0

  • 发明设计人 郭小红;

    申请日2017-05-04

  • 分类号H01L29/861(20060101);H01L23/04(20060101);

  • 代理机构31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘君

  • 地址 200233 上海市浦东新区航头镇航南公路999号7幢358室

  • 入库时间 2022-08-22 03:18:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/861 登记生效日:20180521 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-12-05

    授权

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