法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B81B1/00 授权公告日:20171121 终止日期:20190213 申请日:20170213
专利权的终止
2017-11-21
授权
授权
机译: 通过用于表面等离激元增强型荧光传感器和表面等离激元增强型荧光传感器的尖端/芯片结构以及使用这种方法检测空介电成分的检查体方法
机译: 表面等离激元增强型荧光传感器以及用于荧光传感器的表面等离激元增强芯片结构单元
机译: 一种使用一端包覆红外辐射器将红外辐射引入真空处理腔室的辐射装置