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公开/公告号CN206584030U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-10-24
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆工程职业技术学院;
申请/专利号CN201720193628.7
发明设计人 李生好;李世林;熊飞;彭辉;雷国平;
申请日2017-03-01
分类号
代理机构东营双桥专利代理有限责任公司;
代理人侯玉山
地址 402260 重庆市江津区滨江新城南北大道1号
入库时间 2022-08-22 03:07:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-03-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R33/12 授权公告日:20171024 终止日期:20180301 申请日:20170301
专利权的终止
2017-10-24
授权
机译: 条状超导体中临界电流密度的纵向和横向均匀性的非接触式测试方法和测量装置
机译: 一种超导体临界电流密度的测量装置
机译: 一种测量技术超导体临界电流与外部磁场之间关系的装置
机译:我们开发了一种新颖的临界电流和稳定性实验装置,该装置利用了带有多座超导电缆的闭合电路。这种设置的特点是横向机械负载隐含在变压器中的多股电缆上
机译:序专刊“MgB_2现在和未来的临界电流特性和超导体材料”
机译:开发了一种用于MgB_2超导体的新线材制造方法-通过一种简单的方法即可获得最高的临界电流密度
机译:一种测试NB_3SN电缆对压力的临界电流灵敏度的装置
机译:一种低噪声高温超导量子干涉装置。
机译:静水压力:一种非常有效的方法可显着提高粒状铁离子超导体的临界电流密度
机译:低温测量的实验技术:低温测量的低温设计,材料性能和超导体临界电流测试实验技术,用于低温测量:低温恒温器设计,材料特性和超导体临界电流测试,杰克W. ekin,牛津U.按,纽约,2006年。$ 125.00(673 pp)。 ISBN 978-0-19-857054-7
机译:一种照射超导体的装置