砷化镓芯片的背面金属结构

摘要

本实用新型公开了一种砷化镓芯片的背面金属结构，包括设置在砷化镓基体背面上的Ni金属层、设置在Ni金属层上的WTi合金层以及设置在WTi合金层上的Au金属层；其中所述Ni金属层的厚度为40‑80nm，所述WTi合金层的厚度为40‑80nm，所述Au金属层的厚度为400‑450nm。通过Ni/WTi/Au复合结构的设置，镍和砷化镓基体能够很好的混合而极大的提高了结合力，减少或消除了金属薄膜的剥离，提高了芯片的整体性能，并减少了贵重金属的用量。