硅基CMOS集成128×128面阵APD传感器

摘要

本实用新型公开了一种硅基CMOS集成128×128面阵APD传感器。如图：利用CMOS标准工艺，在硅基衬底上同时实现128×128阵列APD探测器和CMOS接口电路单片集成，通过合理优化的布局，利用三层金属布线及钝化工艺，实现APD面阵与CMOS接口电路的有效连接并形成集成化芯片。该器件集成结构不仅能够有效减小面阵APD传感器件的尺寸、噪声及寄生效应，同时也有效提高面阵APD的探测效率和速度。