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一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器

摘要

本实用新型涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器,该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构,在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区,所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间,所述吸收区的一部分、所述电隔离区以及所述增益区的一部分构成多模干涉区,或者所述增益区的一部分构成多模干涉区。本实用新型提出的锁模半导体激光器能得到高功率的超短脉冲,且制作简单,利于光学集成。

著录项

  • 公开/公告号CN206340825U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-07-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院福建物质结构研究所;

    申请/专利号CN201621242897.X

  • 申请日2016-11-15

  • 分类号

  • 代理机构北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘元霞

  • 地址 350002 福建省福州市杨桥西路155号

  • 入库时间 2022-08-22 02:44:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-18

    授权

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